聚沙成塔，持之以恒。

围绕相变材料及集成光子忆阻器件、存算一体光芯片及应用、混合集成窄线宽激光器等方向，研究集成光电子材料、器件及其应用。
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2026-08-17
Tailoring Capping Layers for Phase-Change Material Photonics
空间激光编程 Sb₂Se₃ 相变材料可赋予光子器件可重构性，但激光动力学限制精度。我们系统研究封装结构对相变的影响，提出定制 Al₂O₃ 基混合覆盖方案：SiN 帽层实现亚波长切换，Al₂O₃/SiO₂ 结构优化能效。优化后特征尺寸达 200 nm，可分辨 31 个状态，非晶化功率窗口达 15 mW，并显著增强循环稳定性。表明封装工程是实现高性能激光操控相变光子学的关键。
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Tailoring Capping Layers for Phase-Change Material Photonics
2026-02-07
In-memory multilevel control of generic SO(m) holonomy in photonics
非阿贝尔几何相位用于容错量子计算，但其光子学实现缺乏可调谐性。我们在含 Sb₂Se₃ 相变材料的多层硅光平台上，实现了非易失多级可调的 SO 几何相位。通过切换 Sb₂Se₃ 晶态与非晶态，动态调控参与和乐的简并态数目，实现不同几何路径与 SO(m) 变换的切换。该成果填补了鲁棒几何相位调控与存内可重构光子学之间的空白，为集成光学容错高维操作建立了新范式。
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In-memory multilevel control of generic SO(m) holonomy in photonics
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